村田貼片電容的容值和絕緣阻抗I.R.及損耗因素D.F.

村田貼片電容的的容量，小到pF級，大到幾百uF級，大容值濾低頻，多用于電源線上的去耦電路，減少電路紋波；小容值濾高頻，多用于射頻端匹配電路上。

理想電容的絕緣阻抗無限大，但是實際上電容存在寄生參數(shù)，故實際的絕緣阻抗有限，一般在兆歐級別，具體參見村田對應型號的規(guī)格書。

損耗因素（損耗角正切）=有功功率/無功功率=漏電流/充電電流=1/Q（品質因素）

D.F.=2*π*f*C*R (R為等效串聯(lián)電阻).